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3―5族化合物半導体 次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料（3）～III-V族の詳細情報
次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料（3）～III-V族。3―5族化合物半導体 JP3598591B2 - 3−5族化合物半導体の製造方法 -。業界初！最先端測定技術を用いた化合物半導体中の欠陥構造の解明。3―5族化合物半導体 JP3598591B2 - 3−5族化合物半導体の製造方法 -。「3―5族化合物半導体」赤崎勇定価: -経年劣化による表紙のヤケがありますご了承いただけましたらよろしくお願い致します#赤崎勇 #本 #自然／物理学
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